GaAs/AlGaAs 异质结：成熟的二维电子气与早期电荷/自旋比特平台。 Si/SiGe 异质结：长相干、自旋比特阵列与二维扩展。 Si-MOS 量子点：与 MOS 工艺相连的栅控硅量子点。 应变锗空穴平台：强自旋轨道耦合与全电控制。 锗棚顶纳米线：自组织纳米线中的空穴量子点。 微磁体：把电场驱动转化为有效横向磁场。 电荷噪声：影响失谐与相位稳定性的核心噪声源。 界面缺陷：工作点漂移、隧穿陷阱与腔损耗的共同来源。